MSCSM170DUM15T3AG Microchip Technology


00004368A_MSCSM170DUM15T3AG.pdf Виробник: Microchip Technology
PM-MOSFET-SIC-SP3F
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSCSM170DUM15T3AG Microchip Technology

Description: MOSFET 2N-CH 1700V 181A SP3F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 862W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 90A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 534nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 7.5mA, Supplier Device Package: SP3F, Part Status: Active.

Інші пропозиції MSCSM170DUM15T3AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSCSM170DUM15T3AG Виробник : Microchip Technology 00004368A_MSCSM170DUM15T3AG.pdf PM-MOSFET-SIC-SP3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM170DUM15T3AG MSCSM170DUM15T3AG Виробник : Microchip Technology 00004368A_MSCSM170DUM15T3AG.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1700V 181A SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 862W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 90A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 534nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 7.5mA
Supplier Device Package: SP3F
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSCSM170DUM15T3AG Виробник : Microchip Technology 00004368A_MSCSM170DUM15T3AG-2907887.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SP3F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.