MSCSM170TLM11CAG

MSCSM170TLM11CAG Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
Description: SIC 4N-CH 1700V 238A SP6C
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1114W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 120A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 712nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 10mA
Supplier Device Package: SP6C
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+59355.69 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSCSM170TLM11CAG Microchip Technology

Description: SIC 4N-CH 1700V 238A SP6C, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1114W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 120A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 712nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 10mA, Supplier Device Package: SP6C, Part Status: Active.

Інші пропозиції MSCSM170TLM11CAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSCSM170TLM11CAG Виробник : Microchip Technology 00004374A_MSCSM170TLM11CAG-2907814.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
товар відсутній