
MSCSM70AM07CT3AG Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 27021.72 грн |
25+ | 26342.96 грн |
100+ | 20831.57 грн |
250+ | 20707.24 грн |
500+ | 20354.84 грн |
1000+ | 20346.02 грн |
5000+ | 20334.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM70AM07CT3AG Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 988W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA, Supplier Device Package: SP3F.
Інші пропозиції MSCSM70AM07CT3AG за ціною від 27675.08 грн до 31709.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 988W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA Supplier Device Package: SP3F |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 281A; SP3F; Press-in PCB; 988W Case: SP3F Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 700A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 281A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 988W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
MSCSM70AM07CT3AG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 281A; SP3F; Press-in PCB; 988W Case: SP3F Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 700A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 281A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 988W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |