MSCSM70AM19CT1AG Microchip Technology
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8931.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM70AM19CT1AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP1F; Press-in PCB; 365W, Case: SP1F, Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 250A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 98A, On-state resistance: 19mΩ, Power dissipation: 365W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM70AM19CT1AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM70AM19CT1AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP1F; Press-in PCB; 365W Case: SP1F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 250A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 98A On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 365W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
MSCSM70AM19CT1AG | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F |
товар відсутній |
|
|
|
MSCSM70AM19CT1AG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F |
товар відсутній |
|
| MSCSM70AM19CT1AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP1F; Press-in PCB; 365W Case: SP1F Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 250A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 98A On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 365W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
товар відсутній |