MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 700V 124A SP3F
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 365W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Supplier Device Package: SP3F
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 700V 124A SP3F, Packaging: Tube, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 365W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA, Supplier Device Package: SP3F.
Інші пропозиції MSCSM70HM19CT3AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
MSCSM70HM19CT3AG | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSCSM70HM19CT3AG |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.



