MSCSM70HM19CT3AG

MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology


1244936-mscsm70hm19ct3ag-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+18917.22 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP3F; Press-in PCB; 365W, Case: SP3F, Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 250A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 98A, On-state resistance: 19mΩ, Power dissipation: 365W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MSCSM70HM19CT3AG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSCSM70HM19CT3AG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244936-mscsm70hm19ct3ag-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP3F; Press-in PCB; 365W
Case: SP3F
Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor
Pulsed drain current: 250A
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 98A
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 365W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MSCSM70HM19CT3AG MSCSM70HM19CT3AG Виробник : Microchip Technology Microsemi_MSCSM70HM19CT3AG_Full_Bridge_SiC_Power_M-1855474.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
товар відсутній
MSCSM70HM19CT3AG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244936-mscsm70hm19ct3ag-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 98A; SP3F; Press-in PCB; 365W
Case: SP3F
Topology: MOSFET half-bridge + parrallel diodes; NTC thermistor
Pulsed drain current: 250A
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 98A
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 365W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
товар відсутній