MSCSM70TAM05TPAG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: PM-MOSFET-SIC~-SP6P
Packaging: Tube
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Part Status: Active
Current: 273 A
Voltage: 700 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 64823.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM70TAM05TPAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 278A; SP6P; Press-in PCB; 966W, Case: SP6P, Technology: SiC, Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 700A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 278A, On-state resistance: 6.4mΩ, Power dissipation: 966W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM70TAM05TPAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM70TAM05TPAG | Виробник : Microchip Technology |
Phase Leg SiC MOSFET Power Module |
товару немає в наявності |
||
| MSCSM70TAM05TPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 278A; SP6P; Press-in PCB; 966W Case: SP6P Technology: SiC Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 700A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 278A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 966W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MSCSM70TAM05TPAG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules PM-MOSFET-SIC-SP6P |
товару немає в наявності |
|
| MSCSM70TAM05TPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 278A; SP6P; Press-in PCB; 966W Case: SP6P Technology: SiC Topology: MOSFET x3 half-bridge; NTC thermistor Pulsed drain current: 700A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 700V Drain current: 278A On-state resistance: 6.4mΩ Power dissipation: 966W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |