MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 189A; SP6P; Press-in PCB; 674W, Case: SP6P, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 9.5mΩ, Topology: MOSFET half-bridge x3 + parrallel diodes; NTC thermistor, Drain current: 189A, Pulsed drain current: 476A, Power dissipation: 674W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 700V, Mechanical mounting: screw, Technology: SiC, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM70TAM10CTPAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM70TAM10CTPAG | Виробник : Microchip Technology |
 Triple Phase Leg SiC MOSFET Power Module |
товару немає в наявності |
||
| MSCSM70TAM10CTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 189A; SP6P; Press-in PCB; 674W Case: SP6P Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 9.5mΩ Topology: MOSFET half-bridge x3 + parrallel diodes; NTC thermistor Drain current: 189A Pulsed drain current: 476A Power dissipation: 674W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 700V Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MSCSM70TAM10CTPAG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P |
товару немає в наявності |
|
| MSCSM70TAM10CTPAG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 189A; SP6P; Press-in PCB; 674W Case: SP6P Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 9.5mΩ Topology: MOSFET half-bridge x3 + parrallel diodes; NTC thermistor Drain current: 189A Pulsed drain current: 476A Power dissipation: 674W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 700V Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor |
товару немає в наявності |