MSCSM70VR1M10CTPAG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SIC 6N-CH 700V 238A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 674W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52872.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM70VR1M10CTPAG Microchip Technology
Description: SIC 6N-CH 700V 238A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 674W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA, Part Status: Active.
Інші пропозиції MSCSM70VR1M10CTPAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCSM70VR1M10CTPAG | Виробник : Microchip Technology |
Triple Vienna Rectifier SiC MOSFET Power Module |
товар відсутній |
||
 |
MSCSM70VR1M10CTPAG | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P |
товар відсутній |