| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 25333.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSMG120ANPCM11TPAG Microchip Technology
Category: Transistor modules, Description: Module; 1.2kV; 251A; 1.04kW; SiC, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Power dissipation: 1.04kW, Technology: SiC, Drain current: 251A, Drain-source voltage: 1.2kV.
Інші пропозиції MSCSMG120ANPCM11TPAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCSMG120ANPCM11TPAG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Transistor modulesDescription: Module; 1.2kV; 251A; 1.04kW; SiC Type of semiconductor module: MOSFET transistor Power dissipation: 1.04kW Technology: SiC Drain current: 251A Drain-source voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MSCSMG120ANPCM11TPAG |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules
Description: Module; 1.2kV; 251A; 1.04kW; SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.04kW
Technology: SiC
Drain current: 251A
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: Transistor modules
Description: Module; 1.2kV; 251A; 1.04kW; SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 1.04kW
Technology: SiC
Drain current: 251A
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.