Продукція > ONSEMI > MSD1819A-RT1G
MSD1819A-RT1G

MSD1819A-RT1G onsemi

msd1819a-rt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.35 грн
6000+2.99 грн
9000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSD1819A-RT1G onsemi

Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MSD1819A-RT1G за ціною від 2.29 грн до 25.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.46 грн
6000+2.99 грн
9000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1944+7.23 грн
1964+7.16 грн
2064+6.81 грн
3119+4.34 грн
3341+3.75 грн
6000+2.77 грн
15000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 1944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1808+7.77 грн
2033+6.91 грн
2646+5.31 грн
4066+3.33 грн
12000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 1808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.93 грн
30+10.01 грн
100+6.20 грн
500+4.27 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.87 грн
43+17.61 грн
100+7.77 грн
500+6.67 грн
1000+4.74 грн
2500+2.96 грн
12000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.00 грн
43+17.51 грн
44+17.34 грн
104+6.97 грн
250+6.39 грн
500+5.84 грн
1000+3.86 грн
3000+3.60 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G onsemi MSD1819A_RT1_D-2316337.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 11464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G ONSEMI msd1819a-rt1-d.pdf Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G msd1819a-rt1-d.pdf
MSD1819A-RT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.46 грн
6000+2.99 грн
9000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G msd1819a-rt1-d.pdf
MSD1819A-RT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1944+7.23 грн
1964+7.16 грн
2064+6.81 грн
3119+4.34 грн
3341+3.75 грн
6000+2.77 грн
15000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 1944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G msd1819a-rt1-d.pdf
MSD1819A-RT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1808+7.77 грн
2033+6.91 грн
2646+5.31 грн
4066+3.33 грн
12000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 1808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G msd1819a-rt1-d.pdf
MSD1819A-RT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.93 грн
30+10.01 грн
100+6.20 грн
500+4.27 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G msd1819a-rt1-d.pdf
MSD1819A-RT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+24.87 грн
43+17.61 грн
100+7.77 грн
500+6.67 грн
1000+4.74 грн
2500+2.96 грн
12000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G msd1819a-rt1-d.pdf
MSD1819A-RT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.00 грн
43+17.51 грн
44+17.34 грн
104+6.97 грн
250+6.39 грн
500+5.84 грн
1000+3.86 грн
3000+3.60 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A_RT1_D-2316337.pdf
MSD1819A-RT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 11464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G msd1819a-rt1-d.pdf
MSD1819A-RT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G msd1819a-rt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.