Продукція > ONSEMI > MSD1819A-RT1G
MSD1819A-RT1G

MSD1819A-RT1G onsemi


msd1819a-rt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.41 грн
6000+3.05 грн
9000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSD1819A-RT1G onsemi

Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MSD1819A-RT1G за ціною від 2.10 грн до 24.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.53 грн
6000+3.04 грн
9000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1944+6.64 грн
1964+6.57 грн
2064+6.26 грн
3119+3.99 грн
3341+3.45 грн
6000+2.54 грн
15000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 1944
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1808+7.14 грн
2033+6.35 грн
2646+4.88 грн
4066+3.06 грн
12000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 1808
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ONSEMI 2354272.pdf Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+16.92 грн
78+10.49 грн
125+6.55 грн
500+4.09 грн
1000+3.33 грн
5000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.26 грн
30+10.20 грн
100+6.32 грн
500+4.35 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : onsemi MSD1819A_RT1_D-2316337.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 11464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.96 грн
22+14.99 грн
100+5.37 грн
1000+3.70 грн
3000+3.21 грн
9000+2.44 грн
24000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+24.48 грн
43+17.33 грн
100+7.65 грн
500+6.56 грн
1000+4.67 грн
2500+2.92 грн
12000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.61 грн
43+17.23 грн
44+17.06 грн
104+6.86 грн
250+6.29 грн
500+5.74 грн
1000+3.80 грн
3000+3.55 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.