Продукція > ONSEMI > MSD1819A-RT1G
MSD1819A-RT1G

MSD1819A-RT1G onsemi

msd1819a-rt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.45 грн
6000+3.09 грн
9000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSD1819A-RT1G onsemi

Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MSD1819A-RT1G за ціною від 1.91 грн до 23.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
6000+3.08 грн
9000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1944+6.26 грн
1964+6.20 грн
2064+5.90 грн
3119+3.76 грн
3341+3.25 грн
6000+2.40 грн
15000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 1944
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1808+6.73 грн
2033+5.99 грн
2646+4.60 грн
4066+2.89 грн
12000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 1808
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.47 грн
30+10.32 грн
100+6.40 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+20.00 грн
43+14.17 грн
100+6.25 грн
500+5.36 грн
1000+3.81 грн
2500+2.38 грн
12000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.11 грн
43+14.08 грн
44+13.95 грн
104+5.61 грн
250+5.14 грн
500+4.70 грн
1000+3.11 грн
3000+2.90 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ONSEMI msd1819a-rt1-d.pdf Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.06 грн
65+12.76 грн
145+5.68 грн
500+4.43 грн
1000+2.40 грн
5000+2.05 грн
10000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : onsemi MSD1819A_RT1_D-2316337.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 11464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.12 грн
22+15.78 грн
100+5.65 грн
1000+3.89 грн
3000+3.38 грн
9000+2.57 грн
24000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : ON Semiconductor msd1819a-rt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1819A-RT1G MSD1819A-RT1G Виробник : onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.