MSD1819A-RT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.40 грн |
| 6000+ | 3.03 грн |
| 9000+ | 2.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSD1819A-RT1G onsemi
Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MSD1819A-RT1G за ціною від 2.27 грн до 24.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSD1819A-RT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MSD1819A-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MSD1819A-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 13789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MSD1819A-RT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MSD1819A-RT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 11458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MSD1819A-RT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
на замовлення 11464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MSD1819A-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 13789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MSD1819A-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MSD1819A-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2189 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MSD1819A-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MSD1819A-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
MSD1819A-RT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
товару немає в наявності |