Продукція > ONSEMI > MSD42WT1G
MSD42WT1G

MSD42WT1G ONSEMI

1750735.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.93 грн
113+7.14 грн
500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSD42WT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MSD42WT1G за ціною від 2.82 грн до 19.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MSD42WT1G MSD42WT1G onsemi msd42wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 150mA 300V NPN
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.55 грн
33+9.66 грн
100+5.51 грн
500+4.00 грн
1000+3.58 грн
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1G MSD42WT1G ONSEMI 1750735.pdf Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.40 грн
74+10.93 грн
113+7.14 грн
500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1G MSD42WT1G onsemi msd42wt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
23+12.98 грн
100+6.34 грн
500+4.96 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1G msd42wt1-d.pdf
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1G msd42wt1-d.pdf
MSD42WT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 150mA 300V NPN
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.55 грн
33+9.66 грн
100+5.51 грн
500+4.00 грн
1000+3.58 грн
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1G 1750735.pdf
MSD42WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+18.40 грн
74+10.93 грн
113+7.14 грн
500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1G msd42wt1-d.pdf
MSD42WT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.37 грн
23+12.98 грн
100+6.34 грн
500+4.96 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1G msd42wt1-d.pdf
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.