Продукція > ONSEMI > MSD601-RT1G
MSD601-RT1G

MSD601-RT1G onsemi

msd601-rt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.54 грн
6000+2.27 грн
9000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSD601-RT1G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-59.

Інші пропозиції MSD601-RT1G за ціною від 1.93 грн до 14.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MSD601-RT1G MSD601-RT1G onsemi MSD601_RT1_D-1387765.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 12486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.10 грн
40+8.08 грн
100+4.41 грн
500+3.17 грн
1000+2.76 грн
3000+2.14 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1G MSD601-RT1G onsemi msd601-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 16629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
30+10.00 грн
100+4.87 грн
500+3.81 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1G ON msd601-rt1-d.pdf 09+
на замовлення 195018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1G MSD601_RT1_D-1387765.pdf
MSD601-RT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 12486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+13.10 грн
40+8.08 грн
100+4.41 грн
500+3.17 грн
1000+2.76 грн
3000+2.14 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1G msd601-rt1-d.pdf
MSD601-RT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 16629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.72 грн
30+10.00 грн
100+4.87 грн
500+3.81 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1G msd601-rt1-d.pdf
Виробник: ON
09+
на замовлення 195018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.