MSD601-RT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.56 грн |
| 6000+ | 2.28 грн |
| 9000+ | 1.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSD601-RT1G onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції MSD601-RT1G за ціною від 1.94 грн до 14.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MSD601-RT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
на замовлення 12486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MSD601-RT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 16629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MSD601-RT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSD601-RT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MSD601-RT1G | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 195018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MSD601-RT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
товару немає в наявності |
