MSE1PBHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4500+ | 4.96 грн |
| 9000+ | 3.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSE1PBHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AD, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MSE1PBHM3/89A за ціною від 3.57 грн до 29.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSE1PBHM3/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AD Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 780 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MSE1PBHM3/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 20 Amp IFSM |
на замовлення 8203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MSE1PBHM3/89A |
|
на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MSE1PBHM3/89A | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 100V 1A 780ns Automotive 2-Pin Micro SMP T/R |
товару немає в наявності |
