MSE1PDHM3/89A

MSE1PDHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division


mse1pj.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+4.73 грн
9000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSE1PDHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AD, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MSE1PDHM3/89A за ціною від 3.48 грн до 26.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSE1PDHM3/89A MSE1PDHM3/89A Виробник : Vishay General Semiconductor mse1pj.pdf Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 20 Amp IFSM
на замовлення 10576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.87 грн
47+6.89 грн
100+5.36 грн
500+4.25 грн
1000+3.90 грн
2500+3.62 грн
4500+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PDHM3/89A MSE1PDHM3/89A Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.65 грн
18+17.74 грн
100+8.95 грн
500+6.85 грн
1000+5.08 грн
2000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.