MSE1PJHM3/89A

MSE1PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division


mse1pj.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+3.19 грн
9000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSE1PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AD, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MSE1PJHM3/89A за ціною від 2.72 грн до 17.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSE1PJHM3/89A MSE1PJHM3/89A Виробник : Vishay General Semiconductor mse1pj.pdf Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt 20 Amp IFSM
на замовлення 10994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.36 грн
38+8.65 грн
100+6.97 грн
500+5.43 грн
1000+3.14 грн
2500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MSE1PJHM3/89A MSE1PJHM3/89A Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.24 грн
26+11.93 грн
100+6.03 грн
500+4.62 грн
1000+3.43 грн
2000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.