
MSE1PJHM3J/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4500+ | 37.87 грн |
9000+ | 33.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSE1PJHM3J/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: MicroSMP, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції MSE1PJHM3J/89A за ціною від 27.72 грн до 91.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSE1PJHM3J/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3J/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3J/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3J/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: MicroSMP Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 780 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 26335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3J/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3J/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |