MSE1PJHM3J/89A Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.25 грн |
| 19+ | 16.48 грн |
| 100+ | 12.51 грн |
| 500+ | 8.78 грн |
| 1000+ | 7.53 грн |
| 2500+ | 6.44 грн |
| 4500+ | 5.92 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSE1PJHM3J/89A Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: MicroSMP, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції MSE1PJHM3J/89A за ціною від 32.27 грн до 89.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MSE1PJHM3J/89A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: MicroSMP Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 780 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MSE1PJHM3J/89A | Vishay |
Diode Switching 600V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Micro SMP T/R |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MSE1PJHM3J/89A | Vishay |
Diode Switching 600V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Micro SMP T/R |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MSE1PJHM3J/89A | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.0A, 600V, ESD PROTECTION, SM |
на замовлення 5188 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MSE1PJHM3J/89A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: MicroSMP Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 780 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
на замовлення 26335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MSE1PJHM3J/89A |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4500+ | 36.89 грн |
| 9000+ | 32.27 грн |
| MSE1PJHM3J/89A |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 600V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Micro SMP T/R
Diode Switching 600V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Micro SMP T/R
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 59.82 грн |
| 240+ | 59.52 грн |
| 272+ | 52.48 грн |
| 275+ | 50.10 грн |
| 500+ | 42.51 грн |
| 1000+ | 35.00 грн |
| MSE1PJHM3J/89A |
![]() |
Виробник: Vishay
Diode Switching 600V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Micro SMP T/R
Diode Switching 600V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Micro SMP T/R
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.68 грн |
| 13+ | 59.82 грн |
| 25+ | 59.52 грн |
| 100+ | 50.61 грн |
| 250+ | 46.39 грн |
| 500+ | 40.81 грн |
| 1000+ | 35.00 грн |
| MSE1PJHM3J/89A |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.0A, 600V, ESD PROTECTION, SM
Rectifiers 1.0A, 600V, ESD PROTECTION, SM
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.09 грн |
| 10+ | 48.19 грн |
| 100+ | 36.86 грн |
| 500+ | 36.35 грн |
| MSE1PJHM3J/89A |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 26335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.47 грн |
| 10+ | 70.26 грн |
| 100+ | 54.64 грн |
| 500+ | 43.47 грн |
| 1000+ | 35.41 грн |
| 2000+ | 33.33 грн |





