Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > MSJP09N65A-BP
MSJP09N65A-BP

MSJP09N65A-BP Micro Commercial Co

MSJP09N65A(TO-220ABH).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383 pF @ 30 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.33 грн
10+78.63 грн
100+53.32 грн
500+39.88 грн
1000+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSJP09N65A-BP Micro Commercial Co

Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H), Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 113W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB (H), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383 pF @ 30 V.

Інші пропозиції MSJP09N65A-BP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSJP09N65A-BP MSJP09N65A-BP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MSJP09N65A_TO_220ABH_-3133577.pdf MOSFETs 650Vds 30Vgs N-Ch Super Junction FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.