MSMBJ12CA Microchip Technology
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.44 грн |
| 100+ | 84.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMBJ12CA Microchip Technology
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 13.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції MSMBJ12CA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSMBJ12CA | Виробник : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Bi-Dir 12V 600W 2-Pin SMB Bag |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MSMBJ12CA | Виробник : MICROSEMI |
SMBJ/SURFACE MOUNT 600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR MSMBJ12 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MSMBJ12CA | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
|
 |
MSMBJ12CA | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 600W; 14V; 30.2A; bidirectional; ±5%; DO214AA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14V Max. forward impulse current: 30.2A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AA Mounting: SMD Leakage current: 5µA Tolerance: ±5% |
товару немає в наявності |