MSMBJ12CA Microchip Technology
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMBJ12CA Microchip Technology
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 13.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Grade: Military, Part Status: Active, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції MSMBJ12CA за ціною від 79.65 грн до 87.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSMBJ12CA | Виробник : Microchip Technology |
 ESD Suppressors / TVS Diodes TVS 12V 5% 600W bi |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
MSMBJ12CA | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 14V; 30.2A; bidirectional; ±5%; DO214AA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14V Max. forward impulse current: 30.2A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO214AA Mounting: SMD Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| MSMBJ12CA | Виробник : MICROSEMI |
SMBJ/SURFACE MOUNT 600W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR MSMBJ12 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
 |
MSMBJ12CA | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Grade: Military Part Status: Active Qualification: MIL-PRF-19500 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
MSMBJ12CA | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 14V; 30.2A; bidirectional; ±5%; DO214AA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14V Max. forward impulse current: 30.2A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO214AA Mounting: SMD Leakage current: 5µA |
товар відсутній |