MSMBJ12CAE3 Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.66 грн |
| 100+ | 74.68 грн |
| 500+ | 64.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMBJ12CAE3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 13.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Grade: Military, Part Status: Active, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції MSMBJ12CAE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSMBJ12CAE3 | MICROSEMI |
 SMBJ/600WATT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR MSMBJ12кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
MSMBJ12CAE3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Grade: Military Part Status: Active Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 633 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MSMBJ12CAE3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3V; 30.2A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 13.3V Max. forward impulse current: 30.2A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Operating temperature: -65...150°C Number of channels: 1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 633 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSMBJ12CAE3 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Part Status: Active
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Part Status: Active
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSMBJ12CAE3 |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3V; 30.2A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3V; 30.2A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику
од. на суму грн.