MSMBJ12CAE3 Microchip Technology
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.90 грн |
| 100+ | 82.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMBJ12CAE3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 13.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Grade: Military, Part Status: Active, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції MSMBJ12CAE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSMBJ12CAE3 | Виробник : MICROSEMI |
 SMBJ/600WATT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR MSMBJ12кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MSMBJ12CAE3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBJ Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Grade: Military Part Status: Active Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |