MSMBJ30A MDE Semiconductor Inc
Виробник: MDE Semiconductor Inc
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 109.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMBJ30A MDE Semiconductor Inc
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 33.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No.
Інші пропозиції MSMBJ30A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSMBJ30A | MICROSEMI |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR MSMBJ30 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
MSMBJ30A | Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 30V 5% 600W uni |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MSMBJ30A | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 12.4A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.3V Max. forward impulse current: 12.4A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Operating temperature: -65...150°C Number of channels: 1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSMBJ30A |
|
Виробник: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 30V 5% 600W uni
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 30V 5% 600W uni
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSMBJ30A |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 12.4A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 12.4A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.