MSMBJ30CAE3 Microchip Technology
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.21 грн |
| 100+ | 81.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMBJ30CAE3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 33.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції MSMBJ30CAE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSMBJ30CAE3 | Виробник : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB Bag |
товару немає в наявності |
|
| MSMBJ30CAE3 | Виробник : MICROSEMI |
SMBJ/TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
MSMBJ30CAE3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |