Технічний опис MSMBJ43Ae3 Microchip Technology
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 0.6kW; 47.8V; 8.6A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 43V, Breakdown voltage: 47.8V, Max. forward impulse current: 8.6A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO214AA; SMB, Mounting: SMD, Operating temperature: -65...150°C, Number of channels: 1.
Інші пропозиції MSMBJ43Ae3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSMBJ43Ae3 | Microchip Technology |
 ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 900 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MSMBJ43Ae3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 0.6kW; 47.8V; 8.6A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 43V Breakdown voltage: 47.8V Max. forward impulse current: 8.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Operating temperature: -65...150°C Number of channels: 1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 900 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSMBJ43Ae3 |
|
Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSMBJ43Ae3 |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 47.8V; 8.6A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8V
Max. forward impulse current: 8.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 47.8V; 8.6A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8V
Max. forward impulse current: 8.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику
од. на суму грн.