MSMBJ6.0CAE3

MSMBJ6.0CAE3 Microchip Technology


10560-msmb-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
TVS Diode Single Bi-Dir 6V 600W 2-Pin SMB Bag
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSMBJ6.0CAE3 Microchip Technology

Description: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 58.3A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 6.67V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.3V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Grade: Military, Part Status: Active, Qualification: MIL-PRF-19500.

Інші пропозиції MSMBJ6.0CAE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MSMBJ6.0CAE3 MSMBJ6.0CAE3 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY msmb.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 7V; 58.3A; bidirectional; ±5%; DO214AA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 58.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Tolerance: ±5%
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSMBJ6.0CAE3 Виробник : MICROSEMI RF01000+%283%29.pdf DO-214AA/Surface Mount 600 Watt Transient Voltage Suppressor MSMBJ6.0
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSMBJ6.0CAE3 MSMBJ6.0CAE3 Виробник : Microchip Technology RF01000+%283%29.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 58.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.67V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Part Status: Active
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSMBJ6.0CAE3 MSMBJ6.0CAE3 Виробник : Microchip Technology RF01000_2b_3_-3135255.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 6V 5% 600W bi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSMBJ6.0CAE3 MSMBJ6.0CAE3 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY msmb.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 7V; 58.3A; bidirectional; ±5%; DO214AA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 58.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.8mA
Tolerance: ±5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.