MSMBJ6.5CAe3 Microchip Technology


RF01000+(3).pdf
Виробник: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 6.5V 5% 600W bi
на замовлення 148 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.16 грн
100+75.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSMBJ6.5CAe3 Microchip Technology

Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 53.6A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 7.22V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500.

Інші пропозиції MSMBJ6.5CAe3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSMBJ6.5CAe3 MSMBJ6.5CAe3 Microchip Technology RF01000+%283%29.pdf Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 53.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMBJ6.5CAe3 MSMBJ6.5CAe3 MICROCHIP TECHNOLOGY RF01000+%283%29.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 7.22V; 53.6A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6.5V
Breakdown voltage: 7.22V
Max. forward impulse current: 53.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMBJ6.5CAe3 RF01000+%283%29.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 6.5VWM 11.2V DO214AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 53.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.22V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMBJ6.5CAe3 RF01000+%283%29.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 7.22V; 53.6A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 6.5V
Breakdown voltage: 7.22V
Max. forward impulse current: 53.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.