MSMCJ10AE3 Microchip Technology
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.02 грн |
| 500+ | 107.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMCJ10AE3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 88.2A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V, Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11.1V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції MSMCJ10AE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MSMCJ10AE3 | Виробник : Microsemi |
 ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| MSMCJ10AE3 | Виробник : MICROSEMI |
DO-214AB/1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE MSMCJ10 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
.jpg "MSMCJ10AE3") |
MSMCJ10AE3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 88.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |