MSMCJ33CAE3/TR Microchip Technology


10561-msmc-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMCJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSMCJ33CAE3/TR Microchip Technology

Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 36.7V; 28.1A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 33V, Breakdown voltage: 36.7V, Max. forward impulse current: 28.1A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: DO214AB; SMC, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Operating temperature: -65...150°C, Number of channels: 1.

Інші пропозиції MSMCJ33CAE3/TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MSMCJ33CAE3/TR MSMCJ33CAE3/TR Microchip Technology rf01001_rev_b_final-pd-000307351.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 33V 5% 1500W bi
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMCJ33CAE3/TR MSMCJ33CAE3/TR MICROCHIP TECHNOLOGY 10561-msmc-datasheet Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 36.7V; 28.1A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 28.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMCJ33CAE3/TR rf01001_rev_b_final-pd-000307351.pdf
Виробник: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 33V 5% 1500W bi
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSMCJ33CAE3/TR 10561-msmc-datasheet
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 36.7V; 28.1A; bidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 28.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.