MSMLJ12CAE3 Microchip Technology
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMLJ12CAE3 Microchip Technology
Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 3kW; 14V; 150.6A; bidirectional; ±5%; DO214AB, Mounting: SMD, Type of diode: TVS, Leakage current: 5µA, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 12V, Breakdown voltage: 14V, Max. forward impulse current: 150.6A, Peak pulse power dissipation: 3kW, Semiconductor structure: bidirectional, Case: DO214AB.
Інші пропозиції MSMLJ12CAE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "MSMLJ12CAe3") |
MSMLJ12CAe3 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB |
товару немає в наявності |
|
 |
MSMLJ12CAe3 | Виробник : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 12V 5% 3000W bi |
товару немає в наявності |
|
 |
MSMLJ12CAe3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 3kW; 14V; 150.6A; bidirectional; ±5%; DO214AB Mounting: SMD Type of diode: TVS Leakage current: 5µA Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14V Max. forward impulse current: 150.6A Peak pulse power dissipation: 3kW Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AB |
товару немає в наявності |