MSMLJ12CAE3 Microchip Technology
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSMLJ12CAE3 Microchip Technology
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 3kW; 14V; 150.6A; bidirectional; ±5%; DO214AB, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 3kW, Max. off-state voltage: 12V, Breakdown voltage: 14V, Max. forward impulse current: 150.6A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: DO214AB, Mounting: SMD, Leakage current: 5µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSMLJ12CAE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSMLJ12CAe3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Bidirectional SMD transil diodesDescription: Diode: TVS; 3kW; 14V; 150.6A; bidirectional; ±5%; DO214AB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14V Max. forward impulse current: 150.6A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO214AB Mounting: SMD Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "MSMLJ12CAe3") |
MSMLJ12CAe3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB |
товар відсутній |
|
 |
MSMLJ12CAe3 | Виробник : Microchip Technology |
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS 12V 5% 3000W bi |
товар відсутній |
|
|
|
MSMLJ12CAe3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 3kW; 14V; 150.6A; bidirectional; ±5%; DO214AB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14V Max. forward impulse current: 150.6A Semiconductor structure: bidirectional Tolerance: ±5% Case: DO214AB Mounting: SMD Leakage current: 5µA |
товар відсутній |