MSRT20060D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSRT20060D GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 200A THREE TOWER SILICON RE, Supplier Device Package: Three Tower, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Three Tower, Packaging: Bulk, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C.
Інші пропозиції MSRT20060D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSRT20060D | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSRT20060D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 600V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.