MSS1P3HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.50 грн |
| 29+ | 10.37 грн |
| 100+ | 8.55 грн |
| 500+ | 5.95 грн |
| 1000+ | 4.48 грн |
| 2000+ | 4.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSS1P3HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO219AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AD, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MSS1P3HM3_A/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MSS1P3HM3_A/H | Vishay General Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V SM Schottky Rect |
на замовлення 75926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MSS1P3HM3_A/H |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V SM Schottky Rect
Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V SM Schottky Rect
на замовлення 75926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)