
MT25QU01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc.

Description: IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-T-PBGA (6x8)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8ms, 2.8ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1151.55 грн |
10+ | 1027.57 грн |
25+ | 995.31 грн |
50+ | 911.30 грн |
100+ | 888.73 грн |
250+ | 859.36 грн |
500+ | 823.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT25QU01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 2V, Schnittstellen: SPI, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MT25QU01GBBB8E12-0AAT за ціною від 798.42 грн до 1862.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron Technology |
![]() |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron Technology |
![]() |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 5411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товару немає в наявності |