
MT25QU01GBBB8E12-0AAT Micron Technology

NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 1.8V 1G-bit 1G/512M/256M x 1/2-bit/2004-bit 6ns Automotive AEC-Q100 24-Pin TBGA Tray
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1156.82 грн |
10+ | 1084.54 грн |
25+ | 1070.18 грн |
100+ | 913.47 грн |
250+ | 800.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT25QU01GBBB8E12-0AAT Micron Technology
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 2V, Schnittstellen: SPI, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MT25QU01GBBB8E12-0AAT за ціною від 835.21 грн до 1888.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron Technology Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 24-TBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 24-T-PBGA (6x8) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 8ms, 2.8ms Memory Interface: SPI - Quad I/O Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Verified Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron Technology |
![]() |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 5411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товару немає в наявності |