MT28EW512ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 8, 32M x 16
Access Time: 95 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT28EW512ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT28EW512ABA1HJS-0SIT - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit / 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 95ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit / 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT28EW512ABA1HJS-0SIT за ціною від 1967.76 грн до 2332.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT28EW512ABA1HJS-0SIT | Micron |
NOR Flash Parallel 512Mbit 163 Volts 56/56 TSOP 1 |
на замовлення 834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||
 |
MT28EW512ABA1HJS-0SIT | MICRON |
Description: MICRON - MT28EW512ABA1HJS-0SIT - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit / 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 95ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit / 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| MT28EW512ABA1HJS-0SIT | MICRON |
|
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
|
Виробник: Micron
NOR Flash Parallel 512Mbit 163 Volts 56/56 TSOP 1
NOR Flash Parallel 512Mbit 163 Volts 56/56 TSOP 1
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1967.76 грн |
| MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
|
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT28EW512ABA1HJS-0SIT - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit / 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 95ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit / 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT28EW512ABA1HJS-0SIT - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit / 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 95ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit / 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2332.03 грн |
| MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
|
Виробник: MICRON
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)