
MT29F1G08ABAEAWP:E Micron Technology
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
75+ | 164.27 грн |
78+ | 158.01 грн |
100+ | 152.65 грн |
250+ | 142.74 грн |
500+ | 128.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT29F1G08ABAEAWP:E Micron Technology
Description: MICRON - MT29F1G08ABAEAWP:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s), tariffCode: 85423239, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: SLC-NAND, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 16ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 50MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT29F1G08ABAEAWP:E за ціною від 117.71 грн до 213.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT29F1G08ABAEAWP:E | Виробник : Micron Technology Inc. |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP I Part Status: Active Memory Interface: Parallel Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MT29F1G08ABAEAWP:E | Виробник : MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MT29F1G08ABAEAWP:E | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MT29F1G08ABAEAWP:E | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MT29F1G08ABAEAWP:E | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
MT29F1G08ABAEAWP:E | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товару немає в наявності |