
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 176.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: SLC-NAND, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 2Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 16ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 63Pin(s), Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT29F2G08ABAEAH4-IT:E за ціною від 186.04 грн до 318.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | Виробник : Micron Technology Inc. |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11) Part Status: Active Memory Interface: Parallel Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | Виробник : MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | Виробник : Micron Technology |
![]() |
на замовлення 3199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | Виробник : MICRON |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
MT29F2G08ABAEAH4ITE | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товару немає в наявності |