Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT29F4G08ABADAH4-IT:D

MT29F4G08ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc.


MT29FxGxxAxxDAxx_RevQ_Apr2014.pdf
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+353.31 грн
10+316.21 грн
25+306.75 грн
50+281.14 грн
100+274.42 грн
250+265.59 грн
500+254.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT29F4G08ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: SLC-NAND, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 16ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 50MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 63Pin(s), Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції MT29F4G08ABADAH4-IT:D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT29F4G08ABADAH4-IT:D MT29F4G08ABADAH4-IT:D MICRON MT29FxGxxAxxDAxx_RevQ_Apr2014.pdf Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT29F4G08ABADAH4-IT:D Micron MT29FxGxxAxxDAxx_RevQ_Apr2014.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT29F4G08ABADAH4-IT:D MT29FxGxxAxxDAxx_RevQ_Apr2014.pdf
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT29F4G08ABADAH4-IT:D MT29FxGxxAxxDAxx_RevQ_Apr2014.pdf
Виробник: Micron
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.