MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC FLASH 512GBIT PARALLEL DIE
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64G x 8
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: Die
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND (TLC)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Micron Technology Inc.
Description: IC FLASH 512GBIT PARALLEL DIE, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 64G x 8, Memory Interface: Parallel, Supplier Device Package: Die, Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NAND (TLC), Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C, Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 512Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: Die, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R | Виробник : Micron | NAND Flash TLC 512G Die 64GX8 |
товару немає в наявності |