MT40A1G8WE-083E AAT:B Micron Technology Inc.

Description: IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-FBGA (8x12)
Grade: Automotive
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1G x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT40A1G8WE-083E AAT:B Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 78-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, Technology: SDRAM - DDR4, Clock Frequency: 1.2 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 78-FBGA (8x12), Grade: Automotive, Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 1G x 8, DigiKey Programmable: Not Verified, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MT40A1G8WE-083E AAT:B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT40A1G8WE-083E AAT:B | Виробник : Micron |
![]() |
товару немає в наявності |