MT40A2G4WE-083E:B TR Micron Technology Inc.

Description: IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 78-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-FBGA (8x12)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2G x 4
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1111.75 грн |
10+ | 990.56 грн |
25+ | 977.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT40A2G4WE-083E:B TR Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 78-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC), Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, Technology: SDRAM - DDR4, Clock Frequency: 1.2 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 78-FBGA (8x12), Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 2G x 4, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції MT40A2G4WE-083E:B TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
MT40A2G4WE-083E:B TR | Виробник : Micron Technology Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V Technology: SDRAM - DDR4 Clock Frequency: 1.2 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 78-FBGA (8x12) Memory Interface: Parallel Memory Organization: 2G x 4 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MT40A2G4WE-083E:B TR | Виробник : Micron |
![]() |
товару немає в наявності |