MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.


MT47H512M4_256M8_128M16_RevJ_2018.pdf
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (9x11.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1520.99 грн
10+1356.06 грн
25+1312.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 2Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit.

Інші пропозиції MT47H256M8EB-25E:C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT47H256M8EB-25E:C MT47H256M8EB-25E:C MICRON MICT-S-A0006313527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H256M8EB-25E:C MT47H256M8EB-25E:C Micron MT47H512M4_256M8_128M16_RevJ_2018.pdf DRAM DDR2 2Gbit 8 60/99 FBGA 1 CT
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H256M8EB-25EC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H256M8EB-25E:C Micron MT47H512M4_256M8_128M16_RevJ_2018.pdf
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H256M8EB-25E:C MICT-S-A0006313527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H256M8EB-25E:C MT47H512M4_256M8_128M16_RevJ_2018.pdf
Виробник: Micron
DRAM DDR2 2Gbit 8 60/99 FBGA 1 CT
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H256M8EB-25EC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H256M8EB-25E:C MT47H512M4_256M8_128M16_RevJ_2018.pdf
Виробник: Micron
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.