на замовлення 8341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 418.05 грн |
| 10+ | 383.84 грн |
| 25+ | 323.80 грн |
| 50+ | 316.13 грн |
| 100+ | 309.22 грн |
| 250+ | 299.25 грн |
| 500+ | 289.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 84Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT47H64M16NF-25E AAT:M за ціною від 320.19 грн до 543.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT47H64M16NF-25E AAT:M | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGAPackaging: Tray Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MT47H64M16NF-25E AAT:M | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E AAT:M | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive AEC-Q100 84-Pin FBGA Tray |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E AAT:M | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive AEC-Q100 84-Pin FBGA Tray |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E AAT:M | Виробник : MICRON |
|
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E AAT:M | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive 84-Pin FBGA |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E AAT:M | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive AEC-Q100 84-Pin FBGA Tray |
товару немає в наявності |


