на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 326.22 грн |
| 10+ | 299.62 грн |
| 25+ | 247.33 грн |
| 100+ | 241.46 грн |
| 250+ | 233.38 грн |
| 500+ | 228.25 грн |
| 1000+ | 223.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT47H64M16NF-25E:M TR Micron
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 84-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 400 ps, Memory Organization: 64M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції MT47H64M16NF-25E:M TR за ціною від 198.64 грн до 336.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron Technology |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : MICRON TECHNOLOGY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory Type of integrated circuit: DRAM memory |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
MT47H64M16NF-25E:M TR | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |