Продукція > MICRON TECHNOLOGY INC. > MT47H64M8SH-25E:H
MT47H64M8SH-25E:H

MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology Inc.

512mbddr2.pdf?rev=2c70f8a2b207452584b2bf040de8d771
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+325.60 грн
10+292.12 грн
25+283.47 грн
50+259.87 грн
100+253.71 грн
250+245.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 512Mbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.

Інші пропозиції MT47H64M8SH-25E:H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MT47H64M8SH-25E:H MT47H64M8SH-25E:H MICRON MICT-S-A0003151526-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H64M8SH-25E:H MT47H64M8SH-25E:H Micron 512mbddr2.pdf?rev=2c70f8a2b207452584b2bf040de8d771 DRAM DDR2 512Mbit 8 60/99 TFBGA 1 CT
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H64M8SH-25E:H Micron 512mbddr2.pdf?rev=2c70f8a2b207452584b2bf040de8d771
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H64M8SH-25E:H MICT-S-A0003151526-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
MT47H64M8SH-25E:H
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H64M8SH-25E:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 400 MHz, TFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H64M8SH-25E:H 512mbddr2.pdf?rev=2c70f8a2b207452584b2bf040de8d771
MT47H64M8SH-25E:H
Виробник: Micron
DRAM DDR2 512Mbit 8 60/99 TFBGA 1 CT
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT47H64M8SH-25E:H 512mbddr2.pdf?rev=2c70f8a2b207452584b2bf040de8d771
Виробник: Micron
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.