MT47H64M8SH-25E IT:H Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments
8-bit Memory IC; 64Mb-SDRAM; 1,7~1,9V; -40~95°C; MT47H64M8SH-25E:H; MT47H64M8CF-25E:G; MT47H64M8SH-25E IT:H PSD47H64m8sh25eith
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 1256.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT47H64M8SH-25E IT:H Texas Instruments
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 64M x 8, Access Time: 400 ps, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 400 MHz, Technology: SDRAM - DDR2, Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC), Memory Type: Volatile, Memory Size: 512Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 60-TFBGA, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MT47H64M8SH-25E IT:H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MT47H64M8SH-25EIT:H | Виробник : Micron |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| MT47H64M8SH-25E IT:H | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGADigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
||
|
MT47H64M8SH-25E IT:H | Виробник : Micron |
DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA |
товару немає в наявності |
