Продукція > MICRON > MT53B128M32D1DT-053 IT:A
MT53B128M32D1DT-053 IT:A

MT53B128M32D1DT-053 IT:A MICRON


Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 IT:A - DRAM, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+937.21 грн
10+866.97 грн
25+837.84 грн
50+761.29 грн
100+675.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53B128M32D1DT-053 IT:A MICRON

Description: MICRON - MT53B128M32D1DT-053 IT:A - DRAM, Mobiler LPDDR4-SDRAM, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.866 GHz, VFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobiler LPDDR4-SDRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції MT53B128M32D1DT-053 IT:A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MT53B128M32D1DT-053 IT:A Виробник : Micron Technology Inc. Description: IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.