MT53D512M16D1DS-046 WT:D Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Part Status: Active
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 744.67 грн |
| 10+ | 666.25 грн |
| 25+ | 645.75 грн |
| 40+ | 596.16 грн |
| 80+ | 581.68 грн |
| 230+ | 559.88 грн |
| 440+ | 537.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53D512M16D1DS-046 WT:D Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53D512M16D1DS-046 WT:D за ціною від 500.89 грн до 827.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53D512M16D1DS-046 WT:D | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MT53D512M16D1DS-046 WT:D | Виробник : Micron |
DRAM LPDDR4 8Gbit 16 200/264 WFBGA 1 WT |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MT53D512M16D1DS-046 WT:D | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|