MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
Qualification: AEC-Q100
Memory Organization: 128M x 32
Access Time: 3.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 2.133 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA, Qualification: AEC-Q100, Memory Organization: 128M x 32, Access Time: 3.5 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 2.133 GHz, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 200-TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR | Micron |
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR |
|
Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.