Продукція > MICRON > MT53E128M32D2FW-046 AAT:A
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A

MT53E128M32D2FW-046 AAT:A Micron


200b_z19m_sdp_ddp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf Виробник: Micron
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP Z19M
на замовлення 1058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.91 грн
10+813.88 грн
25+692.28 грн
100+606.20 грн
250+576.04 грн
500+565.74 грн
2720+551.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT53E128M32D2FW-046 AAT:A Micron

Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Box, Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Grade: Automotive, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 128M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified, Qualification: AEC-Q100.

Інші пропозиції MT53E128M32D2FW-046 AAT:A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A MT53E128M32D2FW-046 AAT:A Виробник : Micron Technology Inc. 200b_z19m_sdp_ddp_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.