на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 749.05 грн |
| 10+ | 684.17 грн |
| 25+ | 581.26 грн |
| 50+ | 577.46 грн |
| 100+ | 528.07 грн |
| 250+ | 515.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E128M32D2FW-046 AAT:A Micron
Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Box, Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Grade: Automotive, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 128M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MT53E128M32D2FW-046 AAT:A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A | Виробник : Micron Technology Inc. |
 Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGAPackaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |