MT53E128M32D2FW-046 WT:A MICRON
Виробник: MICRONDescription: MICRON - MT53E128M32D2FW-046 WT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
Bauform - Speicherbaustein: TFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 4Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Taktfrequenz: 2.133GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 128M x 32 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E128M32D2FW-046 WT:A MICRON
Description: MICRON - MT53E128M32D2FW-046 WT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, Bauform - Speicherbaustein: TFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 4Gbit, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, Taktfrequenz: 2.133GHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 128M x 32 bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції MT53E128M32D2FW-046 WT:A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E128M32D2FW-046 WT:A | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
 |
MT53E128M32D2FW-046 WT:A | Виробник : Micron |
DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP |
товару немає в наявності |