MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Micron Technology
Виробник: Micron Technology
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1360+ | 1446.06 грн |
| 2720+ | 1431.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C Micron Technology
Description: MICRON - MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
||
|
MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|
|
|
MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|
| MT53E1G16D1ZW-046 AAT:C | Виробник : Micron | DRAM LPDDR4 16Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT |
товару немає в наявності |
