на замовлення 1245 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1804.14 грн |
| 10+ | 1657.38 грн |
| 25+ | 1425.75 грн |
| 100+ | 1220.50 грн |
| 250+ | 1179.30 грн |
| 500+ | 1147.66 грн |
| 1000+ | 1091.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C Micron
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 16Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Grade: Automotive, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 1G x 16, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C | Виробник : Micron Technology |
 DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 1Gx16 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
||
 |
MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 16 Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |