MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
Packaging: Box
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5092.85 грн |
| 10+ | 4525.81 грн |
| 25+ | 4377.70 грн |
| 50+ | 4004.83 грн |
| 100+ | 3903.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 AAT:B за ціною від 4325.90 грн до 7882.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : MICRON |
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : Micron |
DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 AT |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |