на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4435.78 грн |
| 10+ | 4046.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Micron
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 32Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 AAT:B за ціною від 3883.43 грн до 5067.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : MICRON |
 Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |